Ученые из МФТИ нашли способ создать более быструю и надежную память для электроники

Ученые из МФТИ совместно с российскими и зарубежными коллегами сделали важное открытие, которое может привести к созданию нового поколения электронных устройств. Они обнаружили, что небольшие дефекты в структуре особого материала — феррита никеля — могут кардинально менять его свойства, в частности, проводимость.

Феррит никеля — это прочный и устойчивый материал, который уже давно привлекает внимание ученых. Новое исследование показало, что, если в его кристаллической решетке есть «точечные дефекты» (небольшие нарушения в расположении атомов), материал начинает вести себя по-другому. Эти изменения могут быть использованы для создания микросхем резистивной памяти.

Ученые применили сложные математические методы для анализа кристаллической структуры феррита никеля и выявили, как именно дефекты влияют на его свойства. Это открытие может открыть путь к созданию более быстрых, надежных и энергоэффективных электронных устройств будущего.

Ранее REGIONS сообщил, что МФТИ в сотрудничестве с банком разработали управляющий алгоритм для робособаки.